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现在，问题暴露了。
解决方案当然有，最好直接采用量子芯片技术，这是最佳的并行处理计算的芯片技术。
可惜啊，以现时空的生产力水平，还有许多前置条件没有实现，短期想要拥有，太难了！
好在，时空记忆的知识体系中，在硅基芯片和量子芯片之间，曾经有好几种过渡芯片技术。
能够在最短时间实现，并兼容现有软硬件的芯片技术，就是碳纳米管芯片技术。
现时空在1991年现碳纳米管，经过近三十年的研究，现它具有相比硅基材料更为优异的半导体特性。
特别是在高迁移率、纳米尺寸、柔性、通透性、生物可兼容性方面。
这些优异特性意味着碳基集成电路将具备高率、高能效的优势，还具备抗辐射性能。
李唐在结合时空记忆中的知识后，采用磁相仪作用下，制成的碳纳米管材料，性能更加优异，且可大规模、低成本制造。
使用这种材料，在特殊的一系列催化剂制程工艺下，能让碳纳米管上生长出场效应管，从而形成晶体管的立体式分布。
再采用李唐此前用在算服务器上的【唐芯】阵列架构布局碳纳米管，使用石墨烯膜封装技术，就能制造出全新的碳芯片。
这种芯片功能十分强大，可以综合硅基芯片cpu和gpu的作用，并适应人工智能的运行。
堪称第一代完美的人工智能芯片技术。
这个技术的关键就是制造出全新的碳纳米管材料，以及相应的一系列催化剂。
催化剂不是问题，记忆里就有完整的配方和工业化制备工艺。
大规模制造新型碳纳米管材料，则需要用到一个仪器设备——磁相仪。
这个仪器设备恰好也是卡住此前新的锂晶态固体电池材料生产的瓶颈。
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